免费咨询热线
177-5963-5229GE VMIVME-4101 缓冲电压输出 双缓冲数据锁存器
GE VMIVME-4101 缓冲电压输出 双缓冲数据锁存器
GE VMIVME-4101 缓冲电压输出 双缓冲数据锁存器
品牌
GE
加工定制
否
输入范围
电流:0 ~ 20mA, 4 ~ 20mA
背板电源要求
Alg608: alg616: alg626: ALG628:
输入数据格式
可配置为浮点IEEE 32位或32位字段中的16位整数
输入阻抗
>100 kï ' -电压输入
电流输入电阻
249 ï´-±1%
开路检测时间
最多1秒
过电压
±60 VDC连续,最大
过流
±28mA连续,最大
信道直流串扰
60db最小
变压器隔离
250 VAC连续/1500 VAC持续1分钟
可售卖地
全国
型号
VMIVME-4101
VMICVMIVME4101数控模块
VME总线- 64与腾宇宙的IID A32/A24/A16/D64/D32/D16/D8,MBLT64和快速支持硬件字节交换头以下(没有键盘,鼠标或显示器)操作使用串行控制台模式(跳线选择),包括BIOS设置
并行打印机端口(ECP的资源计划和IEEE1284)
USB 2.0端口,在前面两个就有一个后置连接
个RS-232/422/485串口(BIOS的可选)
COM1和COM3在前线
COM2端口进行连接后
时间长看门狗定时器
前面板开关和复位状态LED
音频-线路电平立体声输入和输出
对于Windows NT ?,Windows?2000的软件支持库,Windows? XP或Windows? XP嵌入,RTX公司?,Linux?的之外,QNX ?和MS-DOS?(其他
方面提供的要求)
可选IEEE1101.10(VME64x紧凑的PCI型)命令时,处理时间,
VME总线I/O内存
XVME-113
XVME-113的RAM/ROM内存模块
在XVME-113的RAM/ROM内存模组是双高(6U),VME总线兼容的电路板。它多可容纳12个内存,24的EPROM,EEPROM或12 MB的Mb的12
MB的MB的闪存。