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177-5963-5229GE VMIVME-2128 高压数字输出板
GE VMIVME-2128 高压数字输出板
GE VMIVME-2128 高压数字输出板
品牌:
GE
操作系统:
plc系统
规格:
12 x 9.5 x 3 cmmm
输出频率:
65hzHz
特点:
快速
物料编码:
VMIVME-2128
颜色:
标准
重量:
2.05 磅
加工定制:
否
工作温度范围:
0至55°C
储存温度范围:
-20至85°C
湿度范围:
20%至80%相对,非冷凝
是否进口:
是
产地:
美国
详情资介绍
反射内存卡节点延时测试方法:
反射内存卡数据传输过程全部由硬件完成,在windows这种非实时操作系统下和实时vxworks操作系统下由软件测试这种节点延时都是不可取的。
反射内存卡、,首先它是一个PCI设备,提供给用户128MB的读写空间。当一节点有写入操作时,自动通过光纤链路将数据同步到所有节点。这一系列传输写入操作由硬件完成。两个节点间更新的延时为100ns级。
Sdram时钟:66MHZ
FIFO时钟:106MHZ
图1:反射内存硬件数据流
下面提供两种方式来说明或测试节点传输延时:
A:理论计算方式
Sdram时钟:66MHZ
FIFO时钟:106MHZ
在系统无数据传输过程是由PCI总线通过桥片PCI9656将数据写入到SDRAM中,在写SDRAM的同时数据,地址和控制数据打包发送至发送FIFO,这个过程是同时进行的,SERDES在接收到FIFO数据的中断后,立即将FIFO的数据读取至SERDES完成并串转换并发送至光纤收发器,FIFO的读取时间约只需要4个周期。在较短距离时,光纤传输的时间约为零,不予考虑。在接收端SERDES将光纤收发器数据进行并串转换。送至接收FIFO,接收FIFO中断本地SDRAM控制器,将数据写入SDRAM,完成本次数据的更新过程。SDRAM时钟周期时间为15NS左右,FIFO时钟周期为9.4NS,