ABB 5SHY3545L0014 可控硅 IGCT模块

ABB  5SHY3545L0014  可控硅 IGCT模块

ABB  5SHY3545L0014  可控硅 IGCT模块

ABB  5SHY3545L0014  可控硅 IGCT模块

品牌

IGCT模块

输出频率

标准kHzHz

物料编码

5SHY3545L0014

用途范围

IGCT模块

I/O点数

24输入/16输出

安装方式

模块式

品类

PLC可编程控制器

结构形式

模块结构

产品特性

原装保障

是否进口

否

产地

欧美

加工定制

否

工作电压

标准VV

产品认证

原厂

系列

IGCT模块

可售卖地

全国

型号

5SHY3545L0014

5SHY系列5SHY3545L0014可控硅IGCT半导体应用高功率领域模块

5SHY系列5SHY3545L0014可控硅IGCT半导体应用高功率领域模块在高功率半导体及其应用领域正在发生一场新的革命。新的高功率半导体，如HVIGBT（高压绝缘栅双极晶体管）和新兴的IGCT（集成栅极整流晶闸管）正在为用户提供（Linder等人[1]）。特别是在高功率应用领域（0.5 MVA至几百MVA），与当今可用的关闭设备相比，IGCT的概念有可能提供以下：−每MVA低的−每MVA小的损耗−每MVA少的零件数和−每MVA高的可靠性。IGCT将继续在所有高功率应用中快速找到自己的位置。典型的应用将是−中压可调速驱动器−高动态轧机驱动器−铁路潮间带−大功率牵引−变速发电−高压直流输电−自定义电源应用，如−动态电压恢复器−有源滤波器−储能系统−FACTS应用，如–统一潮流控制器−静态无功补偿器在大功率电子领域，IGCT固有的一项重要关键技术是关断半导体的效益高且鲁棒的串联连接（Steimer等人[2]）。这种串联连接要么需要达到目标的中高压水平，要么需要达到更高的功率水平。IGCT技术的突破发生在1996年年中，串联IGCT设备成功调试了高功率应用。本文将详细介绍100MVA铁路线路（Boeck等人[3]）。将解释自1996年年中以来的出色歌剧经验。此外，还将讨论利用目前可用的IGCT进行的未来潜力。集成门换型晶体管IGCT（带集成门驱动器的压装式GCT器件）的效益实现如图1所示。为了在栅极电流中获得所需的1000A/us的高di/dt值，GCT的低电感外壳是关键（Grüning[4]）。IGCT的关断是一个非常快速的瞬态。在大约1µs内，栅极电流在大关断电流Itgqm的水平上增加。在阳极电压升高之前，阴极电流被降至零。设备的关闭完全发生在瞬态模式下，这完全受控和均匀的关闭。IGCT技术目前不存在GTO技术中已知的丝状现象。关断发生得太快了，以至于设备意识到它实际上是一个四层的升压设备，并在关断期间保持晶体管模式。因此，所经历的局限性在于麻醉。该设备可以在该材料定义的物理极限下直接操作